Figure 3 | Electrical conductivity of the polystyrene–graphene composites as a function of filler volume fraction. Main figure, composite conductivity, jc, plotted against filler volume fraction, f. Right inset, logjc plotted against log(f 2 fc), where fc is the percolation threshold (see text). Solid lines in both graphs are calculated conductivities based on the fitting (inset, log–log plot) of the experimental data to the effective conductivity equation described in the text. Fitted parameters are: t ¼ 2.74 ^ 0.20, jf ¼ 104.92^0.52 S m21 and fc ¼ 0.1 vol.%. Left inset: top and middle diagrams show the four-probe setup for in-plane and transverse measurements, respectively; bottom diagram, one of the computed distributions of the current density (contour lines) with local directions and magnitude (shown by arrows) in a specimen for the following conditions— the sample thickness is twice the electrode width and the gap between them, and the in-plane resistivity is 10 times lower than the transverse resistivity.

Figura 3 | Condutividade elétrica dos compósitos de poliestireno-grafeno em função da fração de volume de enchimento. Figura principal, condutividade composta, jc, plotada contra a fração de volume de enchimento, f. Inserção direita, logjc plotado contra log (f 2 fc), onde fc é o limite de percolação (ver texto). As linhas sólidas em ambos os gráficos são condutividades calculadas com base no encaixe (inserção, log-log plot) dos dados experimentais para a equação de condutividade efetiva descrito no texto. Os parâmetros ajustados são: t ¼ 2,74 ^ 0,20, jf ¼ 104,92 ^ 0,52 S m21 e fc ¼ 0,1 vol.%. Inserção à esquerda: superior e central os diagramas mostram a configuração de quatro sondas para plano e transversal medições, respectivamente; diagrama inferior, um dos calculados distribuições da densidade de corrente (linhas de contorno) com direções locais e magnitude (mostradas por setas) em uma amostra para as seguintes condições - a espessura da amostra é duas vezes a largura do eletrodo e a lacuna entre eles, e a resistividade no plano é 10 vezes menor do que a resistividade transversal.